據湖北日報消息，近日，新存科技（武漢）有限責任公司（以下簡稱“新存科技”）發布自主研發的國產新型三維存儲器芯片NM101。該產品由新存科技與華中科技大學長合作研發。

NM101芯片屬于相變存儲器（PCM，Phase Change Memory）技術，與英特爾和美光合作開發的3DXPoint技術相似。這項技術的核心是在電阻變化原理的基礎上，通過改變材料的相態來實現數據存儲。NM101芯片采用的是SLC（單層單元）存儲單元類型，其最高I/O速度為3200MT/s。NM101芯片的IO接口電壓為1.2V，支持在0℃到+70℃的廣泛溫度范圍內穩定運行。

新存科技總經理劉峻介紹，NM101芯片容量目前達64Gb，支持隨機讀寫。該芯片可為數據中心、云計算廠商等提供大容量、高密度、高帶寬、低時延的新型存儲解決方案。

（JSSIA整理）